电路保护器件-瞬态抑制二极管阵列-SLVU2.8-4BTG

参数	数值
Clamping Voltage 箝位电压	24A时是13.9V
Leakage Current (uA) 泄漏电流（uA）	1
系列	SLVU2.8-4
Package Size 产品尺寸	SOIC-8
Reverse Standoff Voltage (V) 反向断态电压（V）	2.8
Typical Capacitance (pF) 通用电容（pF）	2
ESD, Contact Discharge (kV) ESD，接触放电（kV）	30
Maximum Capacitance (pF) 最大电容（pF）	2.5
Dynamic Resistance (ω) 动态电阻（Ω）	0.4
Lightning Immunity (8x20us) 闪电抗扰度（8x20us）	40
ESD, Air Discharge (kV) ESD，空气放电（kV）	30

SLVU2.8-4适用于保护低压CMOS设备不受ESD和雷击感应电压瞬变的危害。

每个低压TVS都有一个与之串联的补偿二极管，可为受保护的线路提供低负载电容。

根据IEC61000-4-2标准，该稳定结构可以在±30kV（接触放电）条件下安全地吸收反复性ESD冲击，每个结构都可以在极低的箝位电压下安全地耗散24A（IEC61000-4-5，tP=8/20μs）的波形浪涌电流。

功能与特色 :

ESD，IEC61000-4-2，±30kV（触点），±30kV（空气）
EFT，IEC61000-4-4，40A （5/50ns）
雷击，IEC61000-4-5，24A（8/20µs）
每条线路的电容低至3.8pF
2.8V下的低泄漏电流为1μA（最大值）
SOIC-8引脚配置允许使用简易的直通型布局

应用 :

10/100/1000以太网
局域网/广域网设备
开关系统
台式电脑、服务器和笔记本电脑
模拟输入
基站

文档(Document)

序号	PDF	描述
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12	SPA培训模块	SPA培训模块
13	以太网电路保护	以太网电路保护
14	增强ESD保护的小贴士	增强ESD保护的小贴士
15	内容已更新！——Littelfuse静电放电（ESD）抑制指南	内容已更新！——Littelfuse静电放电（ESD）抑制指南
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